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单片机内的Flash与EEPROM作用及区别

单片机运行时的数据都存在于RAM(随机存储器)中,在掉电后RAM 中的数据是无
法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等
存储器来实现。在传统的单片机系统中,一般是在片外扩展存储器,单片机与存储器之间通
过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花
更多的心思。在STC 单片机中内置了EEPROM(其实是采用IAP 技术读写内部FLASH 来
实现EEPROM),这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。下面就详细介绍STC 单
片机内置EEPROM 及其使用方法。


flash是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.
一般来说 单片机里的flash都用于存放运行代码,在运行过程中不能改;

EEPROM是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12:00,后来在运行中改为6:00,这是保存在EEPROM里,不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到6:00

下面是网上详细的说法,感觉不错:
FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构,甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。
EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义,属EEPROM无疑,首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM,现在的多数Flash手册上也是这么标明的,二者的关系是“白马”和“马”。至于为什么业界要区分二者,主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和传统EEPROM截然不同,次要的原因是为了语言的简练,非正式文件和口语中Flash EEPROM就简称为Flash,这里要强调的是白马的“白”属性而非其“马”属性以区别Flash和传统EEPROM。
Flash的特点是结构简单,同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量

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